23年蝕刻領(lǐng)域?qū)崙?zhàn)經(jīng)驗(yàn),擁有上萬(wàn)次成功案例,500強(qiáng)企業(yè)的信賴。
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發(fā)布日期:2022-03-10汽車行業(yè)解決方案汽車行業(yè)中的事態(tài)發(fā)展具有兩個(gè)趨勢(shì):高精密度和更嚴(yán)格的公差;以提高運(yùn)作效率和日益增加的電子和電氣控制工程及低碳、環(huán)保。
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發(fā)布日期:2022-03-10醫(yī)療、精密工程行業(yè)解決方案隨著微創(chuàng)手術(shù)等精密工程的快速發(fā)展,需要越來(lái)越多的微小植入人體的部件,對(duì)小型化和精確化就越來(lái)越高,原型零件需低成本且精度保證公差在微米以內(nèi),修改打樣及短時(shí)間的批量生產(chǎn)。
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發(fā)布日期:2022-03-10電子、3C行業(yè)解決方案消費(fèi)類電子產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,技術(shù)偏向高、精、尖,產(chǎn)品生命周期短,更新?lián)Q代快,上市速度快、多機(jī)種、小批量,同時(shí)產(chǎn)品精度要求公差在微米以內(nèi),傳統(tǒng)的制造工藝無(wú)法滿足此要求。
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發(fā)布日期:2022-03-105G行業(yè)解決方案5G時(shí)代,小規(guī)模的定制化生產(chǎn)模式不僅將逐步取代傳統(tǒng)大規(guī)模量產(chǎn),而且在設(shè)計(jì)修改、生產(chǎn)周期、物流等將迎來(lái)新的產(chǎn)業(yè)變革。針對(duì)其產(chǎn)品的多元化、定制化......
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發(fā)布日期:2022-03-09半導(dǎo)體、LED行業(yè)解決方案半導(dǎo)體、LED行業(yè)研發(fā)技術(shù)的不斷提升,產(chǎn)品對(duì)于元器件性能、效率、小型化要求的越來(lái)越高,通過(guò)卓力達(dá)公司的獨(dú)特一系列的制造技術(shù),保證公差在微米以內(nèi)。
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發(fā)布日期:2025-07-04鈦合金蝕刻加工技術(shù)解析鈦合金蝕刻憑借高精度與材料性能優(yōu)勢(shì),正加速在高端制造領(lǐng)域替代傳統(tǒng)工藝。
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發(fā)布日期:2025-07-04銅合金蝕刻加工流程及應(yīng)用領(lǐng)域解析銅蝕刻加工憑借其高精度與規(guī)模化能力,已成為精密制造領(lǐng)域不可替代的工藝。
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發(fā)布日期:2025-06-27連續(xù)卷對(duì)卷刻蝕6大優(yōu)勢(shì)連續(xù)卷對(duì)卷刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)效率提升5-8倍,材料利用率突破95%,亞微米級(jí)精度控制,工藝穩(wěn)定性高達(dá)99.5%,綠色環(huán)保減少70%廢水排放,柔性適配新能源、半導(dǎo)體等多場(chǎng)景量產(chǎn)需求。
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發(fā)布日期:2025-06-27卷對(duì)卷刻蝕加工優(yōu)勢(shì)解析卷對(duì)卷刻蝕實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化連續(xù)生產(chǎn),效率提升200%,精度達(dá)±0.005mm,良品率99.5%,成本降低40%,廣泛應(yīng)用于3C電子、新能源及半導(dǎo)體領(lǐng)域,推動(dòng)10μm以下精密加工革新。
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發(fā)布日期:2025-06-26蝕刻?hào)啪W(wǎng)加工蝕刻工藝可實(shí)現(xiàn)±0.01mm公差控制,支持0.02mm絲徑與0.05mm孔徑加工,適用于燃料電池?cái)U(kuò)散層、半導(dǎo)體掩膜板等微孔陣列需求,孔徑誤差≤±5μm,精準(zhǔn)調(diào)控流體滲透與隔離效果。
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發(fā)布日期:2025-06-26不銹鋼刻蝕加工:精密制造的“微米級(jí)藝術(shù)革命”在半導(dǎo)體、醫(yī)療器械、航天器等高端制造領(lǐng)域,厚度僅0.05-0.5mm的不銹鋼薄板正通過(guò)不銹鋼刻蝕加工實(shí)現(xiàn)形態(tài)蛻變。這項(xiàng)起源于20世紀(jì)光刻技術(shù)的工藝,利用化學(xué)試劑與材料的可控反應(yīng)(如FeCl3蝕刻液對(duì)奧氏體不銹鋼的選擇性溶解),在光致抗蝕劑掩膜保護(hù)下精準(zhǔn)移除金屬。相較傳統(tǒng)沖壓工藝,不銹鋼蝕刻加工可突破機(jī)械應(yīng)力限制,對(duì)304/316L等材料實(shí)現(xiàn)±0.005mm公差控制
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發(fā)布日期:2025-06-25精密蝕刻技術(shù)核心優(yōu)勢(shì)及產(chǎn)業(yè)應(yīng)用精密蝕刻技術(shù)可實(shí)現(xiàn)±0.5μm公差(如半導(dǎo)體引線框架),突破0.005mm超窄線寬加工極限(適配MEMS傳感器),較傳統(tǒng)工藝精度提升50%以上。